안녕하세요, 유용한 정보를 제공하는 블로거 ‘Moomuler’입니다. 오늘은 삼성전자가 독자적으로 개발한 후면전력공급(BSPDN) 기술에 대해 알려드리려고 합니다. 이 기술은 반도체 구조를 혁신시키는 새로운 도약으로 평가받고 있습니다.
기존에는 반도체를 작동시키기 위해 회로가 그려진 웨이퍼 상단에 전력 공급선을 배치하는 방식을 사용해왔습니다. 그러나 회로의 미세화로 인해 회로와 전력선을 한면에 새기는 것이 어려워지고, 회로 간격이 좁아지면서 간섭이 발생하여 반도체 성능에 악영향을 미치게 되었습니다. 이러한 문제를 해결하기 위해 삼성전자는 후면전력공급 기술을 개발하였습니다.
후면전력공급은 전력선을 웨이퍼 뒷면에 배치하고, 회로와 전력 공급 공간을 분리함으로써 전력 효율과 반도체 성능을 동시에 높일 수 있는 혁신적인 기술입니다. 삼성전자는 이미 BSPDN 기술을 개발 중이며, 최근에는 상용 일정을 구체화한 것으로 알려졌습니다. 삼성전자의 파운드리사업부 최고기술책임자(CTO)는 한 포럼에서 “2027년 1.4나노 공정에 BSPDN을 적용할 계획”이라고 밝혔습니다.
삼성전자의 후면전력공급 적용 시점과 대상은 2027년 1.4나노 공정이지만, 시장 요구에 따라 일정이 당겨질 수 있다고 밝혔습니다. 또한, 수요가 확보되면 2나노 공정에도 BSPDN을 적용할 계획이 있습니다. 이와 함께 인텔과 TSMC 등 다른 파운드리 업체들도 후면전력공급 기술을 개발 중이며, 경쟁이 치열해질 것으로 예상됩니다.
후면전력공급 기술은 반도체 구조를 혁신시키는 중요한 기술로 평가되고 있으며, 삼성전자를 비롯한 다른 기업들도 이를 적용하여 반도체 성능을 향상시키고자 합니다. 이러한 기술의 상용화는 반도체 산업에 큰 영향을 미칠 것으로 예상되며, 삼성전자는 이를 통해 기술 주도권을 차지하려는 전략을 전개하고 있습니다.
앞으로도 삼성전자와 같은 기업들이 반도체 기술의 혁신과 발전을 이끌어나가는 모습을 기대해 봅니다. 삼성전자의 후면전력공급(BSPDN) 기술이 반도체 구조에 새로운 도약을 가져올 것이라는 기대가 높습니다. 앞으로의 발전과 성장에 많은 관심과 기대를 가지고 지켜봐 주시기 바랍니다.
감사합니다.
– 삼성전자가 반도체 구조를 혁신시킬 ‘후면전력공급(BSPDN)’ 기술을 상용화한다고 밝혀, 이는 아직까지 전 세계에서 구현된 사례가 없는 혁신적인 기술이다. (출처: )
– 인텔이 반도체 구조 혁신을 위해 후면 전력 공급 기술을 개발했다. 이 기술은 반도체를 구동하는 전력을 웨이퍼 후면에서 공급하는 것으로, 기존의 전면 전력 공급 방식에 비해 효율성과 성능을 높일 수 있다. (출처: )